據(jù)TrendForce最新報(bào)告，2026年第二季度存儲(chǔ)市場(chǎng)將繼續(xù)面臨全面漲價(jià)。

DRAM方面，原廠(chǎng)積極將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM和Server應(yīng)用，并采用補(bǔ)漲策略拉近各類(lèi)產(chǎn)品價(jià)差，預(yù)估整體一般型DRAM合約價(jià)格將季增58-63%。

NAND Flash市場(chǎng)則持續(xù)由AI和數(shù)據(jù)中心需求主導(dǎo)，全產(chǎn)品線(xiàn)連鎖漲價(jià)效應(yīng)不減，預(yù)計(jì)第二季整體合約價(jià)格將季增70-75%。

其中PC DRAM雖面臨整機(jī)需求下修，但原廠(chǎng)同步縮減供貨量，滿(mǎn)足率較低的PC OEM不得不加價(jià)采購(gòu)。

Server DRAM成為原廠(chǎng)獲利最高的品類(lèi)，獲得優(yōu)先產(chǎn)能分配，北美CSP對(duì)AI推理需求明確，大容量RDIMM采購(gòu)強(qiáng)勁，短期內(nèi)供給維持緊縮。

智能手機(jī)品牌因成本壓力累積不排除調(diào)整生產(chǎn)計(jì)劃，但Mobile DRAM拉貨力道暫不致大幅收縮，合約價(jià)持續(xù)走升。

Graphics DRAM和Consumer DRAM同樣受產(chǎn)能不足影響，部分消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的存儲(chǔ)器成本已高于售價(jià)，但大廠(chǎng)退出供給導(dǎo)致供不應(yīng)求局面未見(jiàn)緩解。

NAND Flash方面，原廠(chǎng)通過(guò)制程升級(jí)和調(diào)升QLC比例提高產(chǎn)出的增幅有限，AI Server需求強(qiáng)勁，PC和手機(jī)廠(chǎng)商被迫縮減產(chǎn)品容量以抑制需求量。

Enterprise SSD訂單增長(zhǎng)未見(jiàn)放緩，2026年將明顯缺貨，新產(chǎn)能預(yù)計(jì)要到2027年底或2028年才能大規(guī)模開(kāi)出。

eMMC/UFS因與Enterprise SSD制程重疊但利潤(rùn)遠(yuǎn)低于后者，供給缺口居全產(chǎn)品線(xiàn)之冠。

整體來(lái)看，AI算力軍備競(jìng)賽白熱化帶來(lái)的產(chǎn)能排擠效應(yīng)，正在從高端HBM向全存儲(chǔ)產(chǎn)品線(xiàn)傳導(dǎo)，存儲(chǔ)價(jià)格全面上漲的趨勢(shì)在2026年內(nèi)預(yù)計(jì)難以逆轉(zhuǎn)。