據(jù)美國銀行最新分析報告，韓國總統(tǒng)李在明高調(diào)宣布的“2030年產(chǎn)能翻倍”目標(biāo)面臨著嚴(yán)峻的現(xiàn)實考驗。

6月底，李在明宣布了一項規(guī)模高達(dá)800兆韓元的大型投資計劃，要在韓國西南沿海的光州、全羅地帶打造“存儲新聚落”，目標(biāo)是在2030年讓三星與SK海力士的DRAM晶圓產(chǎn)能翻倍。

三星與SK海力士合計掌握全球過半DRAM市占率，在HBM領(lǐng)域更超過八成，美光7月初也宣布斥資93億美元在日本擴(kuò)產(chǎn)HBM，預(yù)計兩年后出貨。

消息一出，市場擔(dān)憂供過于求導(dǎo)致價格崩跌，全球存儲類股應(yīng)聲暴跌，美光單周下跌15%，鎧俠跌去一成，閃迪市值蒸發(fā)近兩成。

然而美國銀行在最新報告中指出，要評估韓國存儲芯片供給能否實質(zhì)增加仍為時過早，2030年產(chǎn)能翻倍聽起來驚人，但拉長時間軸來看僅代表每年約15%的年復(fù)合增長率。

扣除舊廠因技術(shù)升級關(guān)閉以及制程微縮導(dǎo)致的產(chǎn)能減損后，實際運轉(zhuǎn)的晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張率每年將低于10%，到2030年的增長遠(yuǎn)不及翻倍水平。

供應(yīng)鏈更傳出，SK海力士2028年實際新增的產(chǎn)能可能只有最初規(guī)劃的六分之一。

另一方面還有物理限制，一位中國臺灣存儲芯片業(yè)者指出，光州和全羅目前的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)是石化與鋼鐵園區(qū)，基礎(chǔ)設(shè)施從零開始布建，光打底就要五年左右，后續(xù)潔凈室和機(jī)臺安裝還需三到四年，整個制造生態(tài)鏈建起來恐怕超過十年。

有資深產(chǎn)業(yè)分析師直言，該計劃在李在明任期屆滿前難以完成，目前宣示意義大于實質(zhì)。