在2024年2月21日舉辦IFS Direct Connect活動(dòng)中，英特爾分享了Intel 18A工藝之后的計(jì)劃，公布了新的工藝路線(xiàn)圖，新增了Intel 14A制程技術(shù)和數(shù)個(gè)專(zhuān)業(yè)節(jié)點(diǎn)的演化版本。在Intel 14A上，英特爾將首次引入High-NA EUV光刻技術(shù)，預(yù)計(jì)2028年試產(chǎn)，2029年量產(chǎn)。

據(jù)Wccftech報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）和三星都在積極推動(dòng)1.4nm制程節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)，為此英特爾正在考慮更新工藝路線(xiàn)圖，以更好地應(yīng)對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。其中一點(diǎn)便是在原有Intel 14A基礎(chǔ)上推出Intel 14A2（即Intel 14A Gen2），屬于改良版的制程技術(shù)。

Intel 18A是英特爾首個(gè)支持PowerVia背部供電技術(shù)和GAA晶體管架構(gòu)的制程技術(shù)，兩項(xiàng)新技術(shù)為其帶來(lái)了明顯的PPA優(yōu)勢(shì)。其中PowerVia是英特爾獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)（PDN），通過(guò)消除晶圓正面供電布線(xiàn)需求來(lái)優(yōu)化信號(hào)傳輸。Intel 14A也將沿用背面供電，采用名為“PowerDirect”的設(shè)計(jì)，GAA晶體管架構(gòu)也將升級(jí)至“RibbonFET 2”，從而在相同功率下，性能提升15%至20%，或者相同性能下，功耗降低25%至35%，另外晶體管密度也將提高最多30%。

到了Intel 14A2，英特爾計(jì)劃縮小最低金屬互連層（M0）的間距，從Intel 14A的28nm縮減至21nm，進(jìn)一步提升了晶體管密度。原有專(zhuān)為背面供電設(shè)計(jì)的nTSV結(jié)構(gòu)可能無(wú)法滿(mǎn)足晶體管當(dāng)前的電流密度要求，為此英特爾保留背面供電作為主要供電網(wǎng)絡(luò)的同時(shí)，重新利用部分前部金屬布線(xiàn)，以承擔(dān)輔助供電及部分時(shí)鐘信號(hào)傳輸?shù)娜蝿?wù)，從而通過(guò)雙面供電設(shè)計(jì)，緩解供電壓力。

雖然這種方案會(huì)增加布線(xiàn)的難度，但是有望在更為先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)下實(shí)現(xiàn)晶體管密度、供電和制造的平衡。