英特爾發(fā)布了一項關于其XBM內(nèi)存的新專利，被認為是HBM4的替代方案，能夠帶來更高的帶寬。過去幾年里，HBM一直是AI加速器的標準配置，不過現(xiàn)在部分產(chǎn)品改用了LPDDR，以便在供應短缺、價格、以及功率等方面取得平衡。

雖然LPDDR更高效、容量也更大，但是也存在帶寬不足的問題。前一段時間高通提出了HBC架構(gòu)，將計算與高速內(nèi)存帶寬結(jié)合，采用3D堆疊芯片解決方案。相較于HBM，HBC提供了更快、更高效、更具可擴展性的處理。HBC堆棧通過2D有機基板與SoC相連，HBC堆棧底部為近內(nèi)存加速器單元，再利用硅通孔（TSV）技術在上面加入LPDDR DRAM堆棧。

今年初英特爾宣布與力積電（PSMC）及軟銀子公司SAIMEMORY合作，開發(fā)名為“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存儲技術，不過尚未進入商業(yè)化階段。XBM看起來是英特爾提出的一個新的HBM級競爭方案，預計2030年前后實現(xiàn)商業(yè)化。

根據(jù)英特爾的描述，XBM采用了后段晶體管設計，包括一個封裝基板、一個可選的基礎芯片、以及一個堆疊的存儲芯片。堆棧里的每個存儲芯片均采用1T1C（1個晶體管和1個電容）結(jié)構(gòu)的DRAM，晶體管則移至BEOL（Back-End-Of-Line，后端金屬互連層），以提高面積利用率和TSV（硅通孔）密度，相比傳統(tǒng)前端晶體管DRAM有著明顯的帶寬提升。

XBM將采用Cross-Batch Memory（跨批次內(nèi)存）方案，連接到一個32 GT/s速率的UCIe I/O模塊，成本相比HBM4會更低。每個XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之間，封裝尺寸與HBM 4保持一致。XBM的另外一個優(yōu)勢是可以支持多種封裝選項，包括MoP，意味著能在更小的形態(tài)解決方案中可以提供更高的帶寬和容量。

從目標定位、性能指標和商業(yè)化時間表來看，業(yè)界猜測XBM與ZAM密切相關。