進(jìn)入2026年后，三星晶圓代工業(yè)務(wù)似乎迎來了轉(zhuǎn)折點(diǎn)，最近2nm制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)和客戶訂單談判進(jìn)展似乎都非常順利。最近有消息稱，2nm GAA工藝?yán)^續(xù)取得進(jìn)展，現(xiàn)在的良品率已提升至60%，距離70%的目標(biāo)又近了一步。

據(jù)TrendForce報(bào)道，三星正在加大對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的投入，目標(biāo)2030年之前完成1nm制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)工作，2030年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，搶占下一代制程技術(shù)代工市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)。與此同時(shí)，三星還計(jì)劃深耕2nm制程節(jié)點(diǎn)，擴(kuò)展不同細(xì)分工藝的陣容，以進(jìn)一步爭(zhēng)取主要客戶。

在1nm制程節(jié)點(diǎn)上，三星預(yù)計(jì)將采用新的晶體管架構(gòu)，引入“Forksheet”叉片晶體管結(jié)構(gòu)。三星從3nm制程節(jié)點(diǎn)引入的GAA（Gate-All-Around）晶體管結(jié)構(gòu)，將電流路徑從原有的三個(gè)面擴(kuò)展到四個(gè)面，最大限度地提高了功耗效率，而Forksheet則是在這基礎(chǔ)上的演進(jìn)，利用叉形片層技術(shù)在晶體管之間加入絕緣墻，從而縮小了晶體管之間的間距。通過消除未使用的空間，同一芯片面積下可以容納更多晶體管。

去年三星在韓國(guó)首爾舉行的SAFE 2025活動(dòng)上，展示了第三代2nm工藝，稱為“SF2P+”。另外三星針對(duì)特斯拉的AI6芯片，正在開發(fā)一種定制化工藝，稱為“SF2T”。三星計(jì)劃今年開始部署第三代2nm工藝，也就是SF2P，明年再上線SF2P+。