過去幾年里得益于人工智能（AI）熱潮，高帶寬內(nèi)存（HBM）得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，迭代速度明顯加快，成為了市場(chǎng)上最受追捧的DRAM技術(shù)之一。去年SK海力士憑借著向英偉達(dá)大規(guī)模供應(yīng)HBM3和HBM3E，一度超越三星領(lǐng)跑DRAM市場(chǎng)。

據(jù)Wccftech報(bào)道，三星正在開發(fā)一種獨(dú)特的封裝技術(shù)，能讓智能手機(jī)和平板電腦使用HBM芯片，為移動(dòng)設(shè)備打造高性能AI終端產(chǎn)品。

傳統(tǒng)移動(dòng)DRAM使用的銅線鍵合技術(shù)，使得I/O引腳數(shù)量?jī)H限于128至256個(gè)，這意味著在提升能效和降低發(fā)熱量的同時(shí)，也存在較大的信號(hào)損耗。三星計(jì)劃使用超高長(zhǎng)寬比銅柱結(jié)合扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP），來提升耐熱性及增強(qiáng)持續(xù)工作負(fù)載的性能。

通過三星的垂直銅柱堆棧（VCS）方面的創(chuàng)新，DRAM芯片能以“階梯”結(jié)構(gòu)堆疊，確保HBM在移動(dòng)設(shè)備中克服尺寸限制，發(fā)揮出自身優(yōu)勢(shì)。據(jù)了解，三星已經(jīng)將垂直銅柱堆棧中銅柱的長(zhǎng)寬比從現(xiàn)有的3-5:1大幅提升至15:1–20:1，不過這種方法會(huì)導(dǎo)致銅柱直徑減小。如果直徑低于10微米，那么銅柱可能會(huì)彎曲甚至斷裂，這時(shí)候扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)就派上用場(chǎng)了，可以通過外延伸銅線來增強(qiáng)結(jié)構(gòu)完整性，另外還能增加I/O引腳數(shù)量，帶來30%的帶寬提升。

暫時(shí)還不清楚三星什么時(shí)候應(yīng)用新技術(shù)，從時(shí)間表來看，可能集成到Exynos 2800或者Exynos 2900。傳聞蘋果也考慮將HBM引入到iPhone，不過不確定是否會(huì)選擇三星的這項(xiàng)技術(shù)。考慮到當(dāng)前的DRAM行情，預(yù)計(jì)只有等價(jià)格穩(wěn)定后才討論這種可行性。