存儲成本飆升將沖擊全球手機(jī)市場 明年均價或上漲6.9%
- 來源:互聯(lián)網(wǎng)
- 作者:快科技
- 編輯:陶笛
來自Counterpoint Research最新發(fā)布的《全球智能手機(jī)出貨追蹤與預(yù)測》顯示,受存儲芯片成本大幅上漲影響,2026年全球智能手機(jī)市場將呈現(xiàn)“量減價升”態(tài)勢。
2026年全球智能手機(jī)出貨量預(yù)計同比下滑2.1%,較2025年11月的舊預(yù)測下修2.6個百分點,這意味著市場將大概率連續(xù)兩年收縮。
整體來看,幾乎所有主要廠商2026年出貨均可能同比下滑,不過三星、小米、蘋果等頭部品牌因規(guī)模優(yōu)勢,抗風(fēng)險能力會更強(qiáng)一些。
受成本轉(zhuǎn)嫁與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整影響,2026年智能手機(jī)平均售價(ASP)預(yù)測從2025年9月的年增3.6%,上調(diào)至年增6.9%。
售價上調(diào)的背后,DRAM價格上漲是核心推手,當(dāng)前低、中、高價位段機(jī)型BoM成本已分別增加約25%、15%、10%。
預(yù)計2026年第二季度成本或再增10%-15%,疊加存儲價格可能在同期再漲40%,進(jìn)一步加劇成本壓力。
此次存儲成本上漲根源在于AI服務(wù)器需求擠壓消費電子產(chǎn)能,三星、美光、SK海力士等存儲廠商優(yōu)先供應(yīng)利潤更高的AI服務(wù)器存儲產(chǎn)品(如HBM、DDR5),導(dǎo)致智能手機(jī)用DRAM/NAND Flash結(jié)構(gòu)性缺貨。
存儲芯片擴(kuò)產(chǎn)周期一般長達(dá)3-4年,2026-2027年產(chǎn)能難有大幅擴(kuò)張,供需失衡將會持續(xù)影響消費電子市場。



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