據(jù)報道，三星、SK海力士和美光6月25日在美國加利福尼亞聯(lián)邦法院被提起集體訴訟，被控合謀操縱DRAM價格，制造了所謂的“內(nèi)存末日”。

原告約翰·特里諾代表近年來購買含傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品的消費(fèi)者和企業(yè)提起訴訟，指控三家公司利用在全球DRAM市場的主導(dǎo)地位，以向HBM轉(zhuǎn)型為借口，協(xié)同削減DDR3和DDR4等傳統(tǒng)內(nèi)存的產(chǎn)量，人為制造供應(yīng)短缺。

訴訟的核心邏輯在于HBM對傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能的擠壓效應(yīng)，HBM內(nèi)存芯片在物理尺寸上遠(yuǎn)大于標(biāo)準(zhǔn)DDR芯片，單顆HBM3E DRAM芯片的面積約為DDR芯片的兩倍，這意味著每生產(chǎn)一顆HBM芯片就要消耗兩倍的晶圓面積。

2026年HBM預(yù)計將占全球DRAM晶圓產(chǎn)能的約25%，而HBM需求正以每年約70%的速度增長。盡管全球DRAM晶圓總產(chǎn)能2026年預(yù)計增長14%，但分配給傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)能僅增長10%，這一剪刀差直接導(dǎo)致了消費(fèi)級內(nèi)存的供應(yīng)缺口。

訴訟認(rèn)為，三巨頭本可以同步擴(kuò)產(chǎn)傳統(tǒng)DRAM來填補(bǔ)缺口，卻選擇將產(chǎn)能集中轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM，形成事實(shí)上的協(xié)同減產(chǎn)。

這一協(xié)調(diào)行動的直接后果是DRAM價格在過去四年中上漲約700%，蘋果近期全面上調(diào)iPad和Mac售價就是價格傳導(dǎo)的典型案例，也被訴訟列為觸發(fā)事件。

訴訟還援引了三家公司此前的不光彩記錄，2005年，三星就DRAM價格操縱指控向美國司法部認(rèn)罪，被處以3億美元刑事罰款，這是美國反壟斷史上第二大罰款。

同年SK海力士也認(rèn)罪并被罰1.85億美元，加上爾必達(dá)的罰款，整起案件總罰金達(dá)到7.31億美元，多名高管被判處入獄。

原告認(rèn)為，三家公司當(dāng)年就曾通過協(xié)調(diào)產(chǎn)量和報價來操縱市場，如今只是將同樣的手法換成了“HBM轉(zhuǎn)型”的新包裝。

在可預(yù)見的未來，HBM對傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能的吞噬仍將持續(xù)，三巨頭在HBM領(lǐng)域的寡頭地位也讓它們有能力繼續(xù)主導(dǎo)產(chǎn)能分配節(jié)奏，這場訴訟能否改變存儲市場的供需格局仍有待觀察。