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內(nèi)存價(jià)格單季飆升89% 消費(fèi)級(jí)內(nèi)存市場遭遇“毀滅性”短缺

時(shí)間:2026-06-25 15:42:57
  • 來源:wccftech
  • 作者:3dm編譯
  • 編輯:文木川

2026年第二季度,消費(fèi)級(jí)DRAM市場遭遇了前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。根據(jù)SigmaIntel發(fā)布的最新研究報(bào)告,受AI產(chǎn)業(yè)對(duì)高帶寬內(nèi)存(HBM)的瘋狂搶占影響,通用型DRAM產(chǎn)能嚴(yán)重受限,導(dǎo)致DDR4內(nèi)存價(jià)格環(huán)比上漲約50%,而LPDDR內(nèi)存漲幅更高達(dá)89%,消費(fèi)者正面臨嚴(yán)峻的“內(nèi)存荒”。

內(nèi)存價(jià)格單季飆升89% 消費(fèi)級(jí)內(nèi)存市場遭遇“毀滅性”短缺

報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,各類內(nèi)存模塊在Q2均錄得驚人漲幅。內(nèi)存之外,存儲(chǔ)芯片價(jià)格同樣失控。報(bào)告指出,512GB NVMe Gen4 SSD價(jià)格環(huán)比上漲54%至126.3美元;256GB UFS 3.1閃存漲幅高達(dá)103%,從31美元漲至62.7美元;16GB eMMC 5.1閃存漲69%,而uMCP解決方案更是暴漲107%。

內(nèi)存價(jià)格單季飆升89% 消費(fèi)級(jí)內(nèi)存市場遭遇“毀滅性”短缺

DRAM和NAND閃存是PC、智能手機(jī)和游戲主機(jī)的核心組件。上游價(jià)格暴漲已迅速傳導(dǎo)至消費(fèi)端:筆記本電腦、智能手機(jī)全線提價(jià),游戲主機(jī)價(jià)格同樣上調(diào)。Valve近期推出的Steam Machine因定價(jià)過高遭遇市場冷遇,其背后重要推手正是內(nèi)存與存儲(chǔ)成本的大幅攀升。而在一年前,16GB DDR4內(nèi)存條零售價(jià)僅約60-70美元,16GB DDR5模塊也不過90-100美元,如今價(jià)格已翻至2到3倍;1TB Gen4 SSD過去常以70-80美元促銷,現(xiàn)在即使打折也需130-150美元。

內(nèi)存價(jià)格單季飆升89% 消費(fèi)級(jí)內(nèi)存市場遭遇“毀滅性”短缺

制造商將產(chǎn)能優(yōu)先分配給利潤豐厚的HBM,以服務(wù)AI服務(wù)器市場,消費(fèi)級(jí)DRAM的供應(yīng)短缺從2025年下半年就已開始,至今毫無緩解跡象。行業(yè)專家警告,這一輪價(jià)格漲勢可能延續(xù)至2028年。

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