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DRAM大廠:內(nèi)存缺口至少持續(xù)到明年底

時間:2026-05-22 11:28:08
  • 來源:互聯(lián)網(wǎng)
  • 作者:快科技
  • 編輯:陶笛

還在等著內(nèi)存降價?中國臺灣DRAM大廠南亞科技5月21日召開股東會,總經(jīng)理李培瑛釋放多項信號。

他明確表示,當前客戶需求遠高于供給,不少客戶主動要求簽訂兩至三年的長約,缺貨狀況至少到明年底都會維持緊張,展望2028年供需缺口預(yù)計仍將持續(xù)。

李培瑛指出,DRAM產(chǎn)業(yè)正逐漸擺脫過去高度波動的景氣循環(huán)模式,轉(zhuǎn)向更穩(wěn)定的"結(jié)構(gòu)性發(fā)展",AI興起將帶來下一階段的結(jié)構(gòu)性需求成長。

DRAM大廠:內(nèi)存缺口至少持續(xù)到明年底

在AI內(nèi)存布局上,李培瑛透露,公司布局的并非傳統(tǒng)標準型HBM3、HBM4,而是頻寬更高、具差異化優(yōu)勢的客制化超高頻寬內(nèi)存,采用Wafer-to-Wafer Bonding技術(shù),頻寬高于現(xiàn)行JEDEC標準HBM規(guī)格。

產(chǎn)能擴張方面,新廠擴建規(guī)劃預(yù)計2027年第一季開始裝機,下半年正式量產(chǎn),新增約3萬片月產(chǎn)能并導(dǎo)入新世代制程技術(shù)。

針對中國大陸DRAM廠商積極擴建產(chǎn)能的影響,李培瑛表示“影響雖有,但仍處于相對穩(wěn)定狀況”,南亞科的目標是在定制化與高附加值產(chǎn)品線上構(gòu)建差異化壁壘。

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